实验室，许青舟没参与卡森等人的闲聊，注意力集中在参数面板上。
CVD生长，在H/Ar（流量比1:10）气氛中升温至1050°C，通入CH（10sccm）生长，接下来就是长达4个小时的等待。
搞定完第一步，许青舟留守实验室，卡森三个人去吃饭，没多久，实验室中仅仅剩下设备运行时的低沉声音。
他仔细检查完设备运行情况，转身去隔壁的办公室，打开电脑，看CVD生长的情况。
见数据什么都没问题，他从包里掏出NbSn薄膜制备的资料。
实验过程中会遇到两个大问题，界面应力与成分控制难题，这在一定程度上决定了薄膜能达到的性能。
对于前者，许青舟以前用过的一种方式，低温ALD和梯度退火，想办法减少热膨胀系数。
虽然当时是用在硅基量子点的设计上，但万变不离其宗，试试再说。
成分控制难题相对麻烦。
需要进行大量调整，例如进行前驱体优化，替换样品，或者等离子体参数优化等等，目前也只能先做准备，一切都只有等第一轮实验数据出来了再调整。
下午3点，许青舟和卡森再度进入实验室。
冷却至300°C后旋涂PMMA保护层。
最后，转移到电化学剥离铜箔，捞取石墨烯至SiO/Si衬底，丙酮去除PMMA。
这个步骤大约2小时。
留卡森检查设备，许青舟回办公室，打算再查查其他课题组的进度。
做前沿实验的课题组会像“侦探”一样关注对手动态，这在一定程度上可以加速科学突破，有竞争才会有压力嘛。
当然，也可能会道心崩溃。
就比如曾经在普林斯顿，许青舟某天正在实验室跑数据呢，突然听到楼道里一阵大喊大叫。
走出一看，一位老哥哭得那叫一个凄惨。
后来才知道，这位老哥准备做两个创新点，干了几个月，第一个创新点被其他课题组nature见刊。
老哥立刻换了第二个创新点，可干一个月左右才发现，又被science见刊了。
于是，两次冲击下，绷不住了。
当然，搞科研嘛，其实就算小撞，稍微修一下也能发表。
不过
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