周六，又是一个大晴天，阳光透过树叶，铺洒在咖啡馆外的草坪上。
许青舟见到了中大的郑旭教授，看起来三十多岁的模样，模样清隽，一看就知道是那种喜欢埋头实验，不善言辞的学者。
“郑教授，请坐。”
“您好，许教授。”
郑旭坐下的同时也在观察许青舟，虽然在电视上看到过好几次，但首次见面，依旧会有点吃惊。
年轻得可怕。
年轻归年轻，这位许教授身上有一种不属于这个年龄的从容和沉稳。
“郑教授，你曾经在美国SLAC国家加速器实验室工作过五年，我看了你在这个期间的论文，可以说非常精彩。同时，我还看了你去年的磁电物性分析与器件实验，差距很大，可以说是失败的实验。”
许青舟翻看着手中的资料，沉声说道：“首先是材料稳定性问题，BiFeO薄膜在多次电场循环后出现氧空位迁移，导致磁电耦合效率下降30%。其次是工艺兼容性限制，超薄多铁薄膜的均匀性与CMOS工艺兼容性不足，良品率仅65%。”
其实，许青舟超导薄膜上的专利技术就能用到郑旭的实验里，例如引用梯度掺杂技术，即La掺杂BiFeO，就可以抑制氧空位迁移。
保守估计，至少能让材料性能提升30%。
“是的。”
郑旭露出了落寞的表情，点头承认，懊恼地说：“实验的结果和我预想的相去甚远，甚至漏洞百出。”
“您方便说说原因？”许青舟点点头。
郑旭无奈地说道：“院里另外一个项目的经费不足，最后，我的项目经费被砍掉了20%，周期缩短了三分之一，有些改进方案还没来得及实施。”
许青舟笑着问：“介意我看看改进方案吗？”
“当然没问题。”郑旭把电脑打开，很快就找到曾经的方案，郑重地说道：“这是两个主要方案，请许教授多多指教。”
许青舟把两个方案都大致扫了一眼。
第一种，是引入梯度掺杂技术。
思路和许青舟他们的相似，姑且算得上是超导薄膜实验中的简化版。
第二个方案基于工艺革新，想要开发原子层沉积（ALD）技术提升薄膜均匀性。
“嗯，这两套方
本章未完，请点击下一页继续阅读！