林默笑了笑，没有回应，走到工作台前，拿起桌上那张画了一半的电路图，看了一眼，直接了当的开口。
“袁教授，如果用PMOS工艺，配合带变容自举电路的三级三管动态电路电路，通过电容的自举效应克服传统MOS电路中的电压损耗问题，256位移位寄存器的速度完全可以做上去，信号也能准确读出和高速读出。”
“你可以尝试一下这个方法，我想应该是可行的。”
袁祥辉的身体猛地一震。
“电容自举电路，三级三管动态电路……”
他嘴里喃喃自语，越念叨着眼神越亮，脸上的表情从困惑变成震惊。
“你……你说什么？”他的声音有些发颤。
一时间，袁祥辉能判断出眼前这位年轻人说的应该有些道理，最起码不是胡诌乱说。
但是有个很严重的问题，他并没有完全听懂刚刚的那段话。
林默拿起桌上的铅笔，在图纸的空白处画了起来：
“您看，这是基本的电路拓扑。三级结构，第一级是采样管，第二级是放大管，第三级是输出管。”
“自举电容Cb跨接在放大管的栅极和源极之间。当时钟信号φ1为高电平时，采样管导通，输入信号对放大管的栅极电容充电。”
“当时钟φ1变低，φ2变高时，自举电容会把放大管的栅极电位抬升到超过电源电压，这样就能保证信号完整传输。”
林默的笔尖在纸上飞快地移动，一个个晶体管符号，一条条连线，清晰而准确。
“这个电路过程中，自举电容的比例很关键。”
林默一边画一边说，“太大了，充放电速度慢，太小了，抬升电压不够。我算了一下，Cb/Cgs的比例在3:1到5:1之间比较合适。”
“具体数值可以通过仿真优化，但以目前的实验条件，用3.5:1应该能解决。”
“最关键的是。”
林默抬起头，看着袁祥辉的眼睛，“这种电路对工艺偏差不敏感，只要电容比例做对了，性能就能保证。这就大大降低了对光刻精度的要求，以咱们现有的设备条件，完全可以做出来。”
袁祥辉猛地站了起来，眼睛瞪得滚圆，
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