“CMOS需要在同一块衬底上同时制造NMOS和PMOS两种器件，这意味着掩模层数比NMOS多出将近一倍，光刻对准的难度大大增加。”
“对设备的要求更高，对材料纯度的要求也更高，每一步的良率都会下降，这么一来，整体的良率就更低了。”
“我听说国内有些研究所尝试过CMOS工艺流片，结果成品率连百分之十都不到，这还怎么做量产？“
说完，林默语气平静地看着钱学明：
“钱先生，上面这三个问题，您怎么解决？“
话音落下，会议室里安静下来。
钱学明坐在椅子上，有些惊讶的看着林默。
他原本以为林默就是一个普通机械厂厂长，甚至还有点不屑于和他讨论如此高精尖点的芯片内容。
但是林默刚刚的一番话，完全打破了他的认知。
水平完全不逊色于他的同事，甚至是比他还要高上一些。
他抬起头看向林默，目光里带着一种莫名的疑惑。
“林厂长……您不是学机械工程的吗？也懂芯片？“
“懂一点点。“
林默笑呵呵点的摆了摆手，“平时没事的时候，喜欢看一些技术文献，国内外都看，尤其是半导体方向的东西。“
钱学明沉默了几秒钟，点了点头像：
“您刚才说的那三个问题，速度，栓锁效应以及制造工艺，确实都是目前CMOS技术最大的瓶颈。“
说完，他坐直了身体，语气变得郑重起来：“但我认为，这些问题不是不可逾越的。”
“速度慢，可以通过缩小特征尺寸来降低延迟，未来到微米级，亚微米级的时候，CMOS的速度瓶颈自然会被突破。”
“栓锁效应，可以通过优化阱设计和衬底接触来抑制。”
“至于制造工艺的困难，做芯片从来就没有简单过，NMOS起步的时候良率也低得可怜，不也一样走过来了？“
钱学明眼神变得火热起来，语气里带着一种近乎宗教般的坚定。
“我相信，只要持续投入研发，CMOS的这些问题都能被解决。”
“它的功耗优势是革命性的，是任何其他技术路线都无法比拟的，一旦等到
本章未完，请点击下一页继续阅读！