这部分内容他之前完全没翻过，纸页边缘连折痕都没有，崭新平整，此刻一页页翻下去，白纸黑字的内容像一记记重锤，接连砸在他的心上。
报告的后半段，是关于256KDRAM的技术评估与产业预判。
陆深翻到这一页的时候，翻页的动作顿住，他在系统标注里看到的两个核心数字，64K和256K，终于在这里找到了完整的注解。
256KDRAM是下一代DRAM技术的绝对制高点，1984年倭国电气通信研究所率先实现实验室技术突破，1985年底完成小规模量产，截至1986年1月，也就是当下，是全球半导体产业最前沿的商业化技术天花板。
AIC的情报人员在报告里做了详细的技术拆解，256KDRAM的量产制程需要突破1微米的门槛，对光刻设备、蚀刻工艺、晶圆洁净度、半导体材料纯度的要求，比64KDRAM高出了整整一个量级，技术壁垒呈指数级上升。
倭国企业为了突破这项技术，从1976年开始，由政府牵头，联合五家头部半导体企业，启动了超大规模集成电路攻关项目，砸了近千亿日元的研发资金，拉通了从材料、设备到设计、制造的全产业链，花了整整八年时间，才最终实现了技术突破。
而米国企业在这场技术竞赛里，输得彻彻底底。
报告里附了一份1985年第四季度的产业动态追踪，是哈里森按他的要求归集进来的，他之前连看都没看，此刻目光落在上面，呼吸都跟着顿了一下。
白纸黑字写着：1985年10月，英特尔公司正式宣布全面退出DRAM市场，关闭旗下7座DRAM生产工厂，全面转型微处理器研发业务。
这家由硅谷之父罗伯特·诺伊斯创办、发明了全球第一块商用DRAM芯片的米国半导体标杆企业，这家在全球电子产业里如雷贯耳的巨头，在256KDRAM的技术竞争里彻底落败，最终只能缴械投降，放弃了自己创办之初的核心主营业务。
报告里还标注了英特尔退出的核心原因：1985年全年，英特尔在DRAM业务上亏损了1.73亿美元，是公司上市以来的首次年度
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