时珈一点了点头。
林兰英叹了叹气：“第一个是材料提纯的问题，目前，我们能达到的提纯水平，只有6N，但是半导体的器件，最少需要6N-9N的纯度。”
时珈一边听边写，但是她很快举起小手：“林同志，我打算一下，请问您们现在用的是锗还是硅？”
林兰英如实说道：“锗才能达到6N，硅连2N都没有！”
时珈一：“？？？”
看出她的疑惑，林兰英摇头：“因为提纯的效果太差！无论是前期的粗提纯还是后面的提纯！都很差！”
“我们用的方法是先用化学预提纯，然后再区域提纯。先说锗吧，光是加热这一块，只能用电阻加热，也就是用石墨电阻加热器辐射加热锗棒，但温度均匀性很难控制。因为高频感应加热需要大功率高频电源，我们没有！”
“关于熔区稳定性，因为国内没有精密温控设备，完全靠人工目视调节加热功率，热场不稳定，通过次数不够，最终纯度也不够。”
“至于硅？那就困难更多了，硅的熔点1414℃，比锗高近500℃，对加热设备和耐火材料的要求大幅提升。”
“硅的化学活性在高温下远高于锗，极易与坩埚材料发生反应引入杂质。”
“硅的区熔提纯需要无坩埚悬浮区熔，因为我们没有任何坩埚材料能在1414℃下不与硅反应……..”
“………硅没有……..”
根据她说的话总结就是：加热不行、控温不行、环境不行、温度太高、太容易起化学反应、没锅可用！
时珈一听了一脑袋的“不行”，眼睛都开始转圈圈了。
她晃了晃头，不行？
天枢不能说不行！！
她打断了一下，举手问：“稍等一下下，咱们用的化学预提纯是把收集来的含锗烟尘用盐酸里浸出。然后把液体加热。控制在83℃左右，让它变成气体跑出来，然后再冷凝成液体对吧？”
“再把提纯后的四氯化锗倒进超纯水里，变成白色的二氧化锗沉淀。然后把沉淀物捞出来、洗干净，把洗干净的二氧化锗粉末放进炉子里，通入氢气加热。氢气把氧变成水蒸气跑掉，剩下的就是金属锗了，最后铸成锭是吗？”
林兰英惊讶的
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