写完锗的，时珈一很快开始写硅的。
硅用硅碳棒加热就很不现实了，因为硅碳棒的极限也就1500℃左右。硅的熔点高达1414℃。极限情况下加热，硅碳棒会迅速老化，没必要。
时珈一直接改成用钨丝替代硅碳棒。
钨丝目前是灯泡里面的灯丝，华国也可以正常生产。
钨的熔点极高，工作温度能到2000-2500℃！对付1414℃的硅，简直是游刃有余，寿命还长。
只需要把粗壮的钨丝绕成弹簧一样的螺旋形，套在管外面，正好包住熔区的位置。
跟提纯锗的思路一样，把单段加热改成三段加热。
因为硅的表面张力低，熔区必须做得更窄。
经过三段式加热，熔区宽度能稳稳卡在8-12毫米，不再轻易断裂。
同样加上“同步电机+齿轮+丝杠”，让加热器匀速往前走。
这样，一个简单的区域提纯的环节就做完了！
时珈一很满意自己的改造方案。
关于清洗后二次污染的问题，这个其实是最麻烦的，因为必须要用到去离子水。去离子水在目前又很贵。
现在的稀硝酸基本是工业级别的，晶片二次污染很严重。
时珈一唯一能想到的方法也只有这一个。
就是先把稀硝酸提纯，做一个石英亚沸蒸馏装置，这样，提纯过的稀硝酸浸泡，就不会像之前污染度那么高。
然后再放到去离子水中去冲洗晶片。但是这也有个不好的地方，就是去离子水损耗会大！
本来这个东西在现在就有些稀缺，因为要拿去和国外换树脂！树脂就是用来过滤离子的，国内造不出来，只能换。
所以，时珈一还得想个法子把去离子水生产的配套设备升级一下。
真正的，为了这点子醋特意包了一盘饺子！
她心里骂骂咧咧，手上的笔却没停过！
直到许久之后，时珈一揉了揉酸痛的手腕，翻了翻自己这一天肝下来的成果，满意地点了点头。
关于去离子水增产，她直接给出了最粗暴也最有效的方案。
粗蒸馏+国产树脂精制法子+玻璃或者陶瓷输送的组合拳，不仅避开了现在国内材料科学的短板，还能在极短的时间内，以极低的成本，实现去离子
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