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第375章 学术上的切磋[1 / 3]

【亲爱的理查德】

【你的信收到了。你在信中关于硅提纯和传感器材料的回复,我仔细读了好几遍。区域提纯的原理我大概能理解,但具体操作参数还需要摸索。如果你方便的话,能不能再多说两句关于加热环移动速度的内容?我们这边的炉子温控精度有限,我担心移动速度太快杂质赶不干净,太慢又效率太低。我知道有些东西你不能写,但如果你能给个大概的范围,我会非常感激。】

【另外,我在鲍曼这边也在尝试做一些半导体相关的小实验,比如用单晶锗制作二极管。目前已经成功做出来了第一颗样品,电性能测试结果还算满意。这是一个很小的起步,但对我来说意义重大。毕竟,亲手做出一颗器件,和只在书本上读到它,是完全不同的体验。】

【如果有一天我能做出硅二极管,那我一定会第一时间告诉你。】

【对了,关于我之前在信里提到的那个多次氧化、多次腐蚀的想法,你后来有没有去试过?或者你们实验室的其他人有没有去试过?我纯粹是好奇。那个想法是我在做一个传感器封装项目的时候瞎想的,没有经过严格的实验验证。如果已经有人试过了发现走不通,那我也就不用在这上面浪费时间了。】

她写到这一段的时候笔尖顿了一下,嘴角微微翘起来。

多次氧化、多次腐蚀这个方向在后世被证明是一条死路。

层数越多,对准误差越大,良率越低,成本越高。

给点反馈好不好!如果效果不错!那证明她的骚操作没问题!以后可以让美帝在这条路上越跑越远!

毕竟贝尔实验室真的在这上面投入了资源,那她的目的就达到了,浪费他们的时间和经费。

如果他们没有,那她也不亏,至少知道这个方向有没有被重视。

她刚刚已经过了一遍集成电路的工艺流程,把每一个环节的知识缺口列了出来。

但除了这些硬件问题,还有什么是她不知道的?

她在笔记本上又加了几行,材料的掺杂均匀性怎么控制?PN结的击穿电压怎么调节?不同金属和半导体的接触电阻怎么优化?这些问题随便拎一个出来都能写一篇博士论文。

她继续往下写,先给人

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