钱学明深吸了一口气，上前一步，站在了生产线的起点位置，面对张停和几位司长专家，有条不紊的开口。
“各位领导，我们曙光厂的这条芯片生产线，是一条三微米制程的CMOS工艺线。”
“在最初的设计方案论证阶段，我们面临一个关键性的选择，是走当时国内普遍主流的NMOS工艺路线，还是另辟蹊径走CMOS路线。”
钱学明侧身指向身后第一台设备，一五一十的介绍着。
“各位领导想必都知道，NMOS工艺的优点是速度相对快，工艺成熟度高，国内几家院所都有经验基础，可以说是最简单最普遍的选择。”
“但它的功耗太高，集成度提升后发热问题几乎无解。”
“而CMOS工艺虽然功耗只有NMOS的十分之一不到，但业界公认它的速度慢，工艺控制难度大，存在闩锁效应等可靠性问题。”
“我们权衡了很久，最后林厂长和我还是共同决定走CMOS路线，因为功耗才是未来大规模集成的最大瓶颈，速度可以通过电路设计和工艺优化来补偿。”
张停听得专注，点了点头没有插话。
两位专家也同样点点头。
钱学明说的没错，CMOS工艺确实是有可取之处。
当然，也有其缺点。
他们这一次过来就是想知道曙光厂是怎么克服这个缺点的。
钱学明继续往前走，来到光刻机旁边：
“各位领导，这是我们从荷兰进口的步进式光刻机，配合我们自己研发的掩模版定位系统，可以实现三微米的最小线宽。”
“在曝光精度方面，对准误差控制在一微米以内，加上我们自研的自动对准算法，实际套刻精度可以做到正负零点五微米。”
说完，一行人继续沿生产线前行：“这里是我们自行改造的等离子体刻蚀机，原机进口的时候主要用于普通硅刻蚀。”
“我们重新设计了射频匹配网络和气体分配系统，把均匀性从百分之十二提高到了百分之四以内。”
“同时把刻蚀速率从每分钟六十纳米提升到了一百一十纳米，而且侧壁垂直度控制在了八十七度以上，减少了后续工序的补偿难度。”
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